提出了中间段光折变晶体材料参数的测量原理。利用公开报道的关于Ce:KNSBN双光束耦合的实验数据计算了该晶体的材料参数。实验与理论结果相吻合。

研究了掺铈的KNSBN晶体在632.8nm的光束下,当温度从30℃升高到95℃过程中,两波耦合和四波混频相位共轭的性质。两波耦合实验表明,当温度达到95℃时,增益系数和晶体的响应速度能增加数倍。在温度变化范围内,四波混频相位共轭反射率从4%增加到14%。

理论分析和实验研究了非相干光照射下Ce:KNSBN晶体中的两波耦合,发现非相干光在很大范围内可有效地控制晶体中的两波耦合效应。实验结果和理论分析趋势相一致。

提出了大调制度双光束耦合的中间段理论.在这种条件下,耦合波方程只能数值求解.将该理论与其它几种条件下双光束耦合理论进行比较,得出了十分有意义的理论结果.

用红光对掺铈的铌酸钾钠锶钡(KNSBN)单晶样品进行了两波耦合的测量,研究了两波耦合中样品的增益系数Γ与两束入射光夹角2θ的关系.用光折变理论拟合了Γ-2θ关系的实验结果,求出了该样品的有效光折变电荷密度,有效电光系数和电子-空穴对抗率的数值.

为了研究入射光强对多个亮屏蔽孤子之间相干相互作用的影响,采用数值模拟的方法求解孤波演化方程。在特定的相互作用距离和相对相位条件下,改变入射孤子的光强,分别对2个孤子和3个孤子的相干相互作用做了分析。结果表明,在同相位条件下,2个孤子的相互作用表现出融合-分开-融合的周期性;对3个孤子,这种周期性消失;同时表现出能量的定向转移特性。改变入射光强的大小,能够控制能量转移的方向。在相反相位的情况下,2个孤子和3个孤子类似,都表现出相互排斥的相互作用,入射光强的大小会影响相互作用的程度。当孤子之间相位差为/2时,2个孤子和3个孤子都表现出能量的定向转移,能量转移方向由相对相位差的符号决定;对3个孤子,随着入射光强的增加,伴随着能量的转移,还会表现出一定的排斥作用。此研究结果说明入射光强对孤子的相互作用具有一定的调节作用。